【シミュレーション】ひずみ打消しの効果があまりにも大きくて思わず「まじかよ」と声が出た。
- pokke_yamada
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1.5Vで動作するトランスリニアバイアスのバッファ回路を思い付いた😆
2022-08-26 22:28:17トランスリニアバイアスになってるっぽい。 pic.twitter.com/nRG5OCYmiE
2022-08-27 20:59:16電流、途切れてませんね。 pic.twitter.com/dvlwJXPAb1
2022-08-27 21:19:59負荷抵抗10Ω、出力電圧200mVpeak時の全高調波ひずみ率は0.257%。 負荷抵抗10Ωと40ΩとでON‐OFF法で算出した出力インピーダンスは0.0535Ωでした。 pic.twitter.com/yTUs6lSDbp
2022-08-27 21:14:56電源電圧を2.4Vにして2倍の増幅率にしました。 出力電圧388mVpeak、負荷抵抗10Ω時の全高調波ひずみ率は1.30%。 負荷抵抗10Ωと40ΩでのON-OFF法による算出での出力インピーダンスは0.186Ωでした。 pic.twitter.com/nDfGR6wjON
2022-08-27 22:45:51トランスリニアバイアス出力段のひずみを大きく抑える妙案を思い付いた😆♥
2022-09-05 21:58:42トランスリニアバイアスとは、SEPPの出力トランジスタに対するバイアスの安定度を解決する目的で導入された手段です。トランジスタのVbeが対数特性を持つことを利用しています。 ひずみを利用しているのだから、トランスリニアバイアス出力段はそのままでは無ひずみではありません。
2022-09-06 12:32:40回路としては、トランスリニアバイアス出力段の出力側トランジスタのコレクタ電流を電流増幅回路で増幅する「上條式」ですが、この電流増幅回路にさらにトランスリニア原理を応用して2乗特性を持たせています。 3乗特性をもたせるとどうなるのかやってみたい。(※なおシミュレータの制限ry💦)
2022-09-06 07:10:28出力段のみの回路でアイドル電流2.7mAにし、入力電圧100mVpeakのとき、負荷抵抗10Ωでのひずみ率は0.831%、40Ωでは0.0402%。 負荷抵抗10Ωと40ΩでON-OFF法で算出した出力インピーダンスは2.92Ω。 pic.twitter.com/nCzoAb8u24
2022-09-06 06:26:24電流増幅回路の特性を指数関数的にしてみました。 アイドル電流1.9mA、入力電圧100mVpeakで、負荷抵抗10Ωのひずみ率は1.81%、40Ωでは0.11%と、アイドル電流が異なるものの2乗特性のときよりも増えました。 いっぽう、10Ωと40ΩでON-OFF法で算出した出力インピーダンスは1.595Ωと低くなりました。
2022-09-06 23:13:37比較対象として、単純なトランスリニアバイアス出力回路で、全体の消費電流を3mA程度に調整したとき、入力電圧100mVpeakでは、負荷抵抗10Ωのひずみ率は3.29%、40Ωでは0.278%、10Ωと40ΩでON-OFF法で算出した出力インピーダンスは5.87Ωでした。 pic.twitter.com/n7NycTdukq
2022-09-06 23:26:53電流増幅回路をリニアにして(=上條式)アイドル電流を2.4mA程度にしたとき、入力電圧100mVpeakでは、負荷抵抗10Ωのひずみ率は1.073%、40Ωでは0.0586%、10Ωと40ΩでON-OFF法で算出した出力インピーダンスは3.51Ωでした。 pic.twitter.com/EA7145PVfN
2022-09-06 23:43:22アイドル電流が異なるため厳密な比較ができないものの、その差を加味して検討すると、電流増幅回路の特性がリニア(上條式)と2乗特性ではさほど違いがなく、指数関数特性にするとひずみ率はやや悪くなるが出力インピーダンスは半分程度にはできそうです。
2022-09-06 23:43:23単純トランスリニアバイアスの出力トランジスタQ3/Q4のコレクタ電流波形をみてみると、かなりひずんでいることがわかります。 pic.twitter.com/OkD5VSuuBF
2022-09-06 23:54:24上條式のQ3/Q4、Q6/Q8のコレクタ電流波形を見てみます。 Q3/Q4の波形も大きくひずんでいて、それをリニアに増幅しているQ6/Q8の波形も同様にひずんでいます。 pic.twitter.com/OAUYntxU6c
2022-09-07 00:08:122乗特性のQ3/Q4と出力トランジスタQ8/Q12のコレクタ電流波形を見てみます。 Q3/Q4は、上條式よりもややひずみが小さいようにみえます。 Q3/Q4のコレクタ波形がひずむと出力電圧波形もひずむので、このひずみが小さいほうが出力もひずみが小さくなるはずです。 pic.twitter.com/xFgkIDDWlG
2022-09-07 00:08:13指数特性のQ3/Q4と出力トランジスタのコレクタ波形を見てみます。 Q3/Q4の波形は、指数特性ではもっともひずみが小さいようにも見えますが、出力電圧はひずみが大きいという結果になりました。 ただ、アイドル電流も少ないため、これを同等にそろえるとひずみが最も小さいのかもしれません。 pic.twitter.com/fDUcG9hiZ8
2022-09-07 00:08:14出力トランジスタのアイドル電流を2.7mAにすると、10Ω・40Ωのひずみ率と出力インピーダンスは、 上條式:0.873%・0.0459%・3.198Ω 2乗特性:0.831%・0.0402%・2.92Ω 指数特性:0.88%・0.042%・1.243Ω でした。 ひずみ率は有意な変化がなく、出力インピーダンスは指数特性で大幅に減少したと言えます。
2022-09-07 00:30:47結果として、当初の目的であるひずみの大幅な抑制は達成できなかったものの、出力インピーダンスを減少させることができました。
2022-09-07 00:40:09いろいろ試したけどこれが最強だった。 アイドル電流2.7mAにし、入力電圧100mVpeakのとき、負荷抵抗10Ωでのひずみ率は0.3567%! 40Ωでは0.00863%!! 負荷抵抗10Ωと40ΩでON-OFF法で算出した出力インピーダンスは0.662Ω!!! pic.twitter.com/OxWXbAAGeQ
2022-09-09 00:27:00